AP3P021YT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:25A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:16mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款P沟道MOSFET具备25A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻仅为16mΩ（RDON/mR），在大电流条件下仍能保持较低的功耗，提高了整体效率。此MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS/V），适用于多种电源转换和管理电路中，如开关电源、电池充电器以及各类电子设备的负载切换控制等场合。
