AP4048MT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:DFN5X6-8L 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:5000/圆盘 参数1:电流ID:80A 参数2:电压VDSS:30V 参数3:RDON:4.7mR 参数4:沟道类型:N 标价:欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的最大漏极电流(ID)和30V的漏源极间最大耐压(VDSS)。它还拥有仅为4.7mΩ的导通电阻(RDON),能够在高电流应用中减少发热,提高转换效率。其栅源极电压(VGS)范围为±20V,保证了在不同工作条件下的稳定性能。这款MOSFET适用于各种精密电子设备中的开关或放大功能,如电源适配器、消费类电子产品等,能有效提升产品的性能和用户体验。
