AP4438GYT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的最大连续漏极电流（ID）及30V的漏源极耐压（VDSS），适用于多种需要高性能开关或电源管理的电路。其低至9mΩ的导通电阻（RDS(on)）有助于减少发热，提高系统效率。该器件支持最高±20V的栅源电压（VGS），确保了在复杂电路环境中的稳定操作。此MOSFET特别适合用于需要快速开关响应和低损耗的应用场合，如电池供电设备、便携式电子产品中的电源转换和控制。
