AP3P021H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET拥有50A的连续漏极电流(ID/A)和30V的最大漏源电压(VDSS/V)，能够承受较高的电气应力，适用于需要大电流和高压操作的应用场景。其导通电阻低至15mΩ(RDON/mR)，有助于减少能量损耗，提高系统效率。该MOSFET支持最宽达20V的栅源电压(VGS/V)范围，提供了灵活的驱动条件。它非常适合用于电源管理、信号切换及各种电子装置中的负载控制电路。
