AP4459YT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备32A的最大漏极电流ID和30V的最大漏源电压VDSS，导通电阻RDON仅为10mΩ，适用于VGS为25V的工作条件。它适合应用于电源管理、电池保护、信号放大和转换等多种电路中，能够实现快速、高效的开关操作。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体电路的效率，同时保证了良好的热稳定性和可靠性，是高性能电子设备的理想选择。
