AP60SL600DIN_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有16A的最大漏极电流（ID）、650V的漏源击穿电压（VDSS）以及450mΩ的导通电阻（RDON），在30V栅源电压（VGS）下工作。适用于高效开关电源、逆变器等电子设备中，作为关键的开关或放大组件。其优良的导电性和耐压性，确保了在复杂电路环境下的稳定性和可靠性。
