AP65AN1K2IN_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:860mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有10安培的最大连续漏极电流和650伏特的漏源极断态电压，确保在高压环境下稳定运行。其导通电阻为860毫欧，适用于要求高效能与低损耗的电路设计。支持最大30伏特的栅源电压，增强了其在复杂电路配置中的适用性。这款MOSFET特别适合用于电源管理、信号放大及各类电子设备中的开关控制应用。
