AP60AN650IN_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备16A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源极断态电压（VDSS），在30V的栅源电压（VGS）条件下，其导通电阻（RDON）低至450毫欧。该MOSFET适用于多种高性能电路设计，包括但不限于开关电源、逆变器以及电池管理等应用场景。其优异的电性能和热稳定性，使得它能够在各种复杂环境中保持高效运行，同时减少能量损失，提高系统的整体效能。
