AP4463MT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有高达70A的最大漏极电流ID和30V的最大漏源电压VDSS，同时具备仅6mΩ的导通电阻RDON，当栅源电压VGS为20V时，可实现高效导电。适用于各种精密电子设备中的电源开关、逻辑电平转换和负载控制等应用场景，能够有效降低能耗，提高系统效率。其优异的电气特性和稳定性，确保了在复杂电路环境下的可靠运行。
