AP60AN650IT_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET），拥有16A的最大漏极电流（ID）和650V的漏源极间击穿电压（VDSS），在30V栅源电压（VGS）下工作时，其导通电阻（RDON）低至450毫欧。这些特性使其非常适合用于高效能的电源管理解决方案，如开关电源和电池管理系统中的快速切换和低损耗要求。其紧凑的设计和优秀的热性能，确保了在密集型应用中也能保持良好的散热效果，从而提升整体系统的稳定性和可靠性。
