AP60SL650AFI_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流ID可达16A，耐压值VDSS高达650V，导通电阻RDON仅为450mΩ，在VGS为30V时表现尤为突出。该元件适用于高效率开关电源、可再生能源系统逆变器及各类精密电子设备中的信号放大与切换控制。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统能效比，确保长时间稳定运行。
