AP65SA600DIN_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:450mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备16A的最大连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，确保了其在高功率应用中的稳定性和可靠性。其导通电阻仅为450mΩ，在大电流条件下也能保持较低的发热水平，有助于提升整体效率。该器件支持最高30V的栅源电压，适合用于各种开关电源、电池管理和电机控制电路中，能够有效实现电流的快速开关与精准控制。
