AP3P020H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，导通电阻低至15mΩ，在20V的栅源电压下工作性能优异。它适合应用于需要高效率与低热耗散的电路中，例如电源管理模块、开关模式电源以及各种需要精密控制的电子装置内。该器件的低导通电阻特性有助于显著降低能量损失，提升整体系统的效能和稳定性。
