AP6NA3R2LMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气性能，最大漏极电流ID高达125A，耐压值VDSS为60V，同时具备仅2.4mΩ的低导通电阻RDON，显著降低了功率损耗。其支持的栅源电压VGS范围是±20V，保证了宽泛的工作条件下的稳定性。此MOSFET适合应用于各种需要高效能开关和调节功能的电路设计，例如电源转换、电子负载控制等领域。
