AP3P050H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:36mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续漏极电流承载能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为36mΩ，在20V栅源电压下表现出色。适用于要求高效能、低损耗的电路设计中，如电源管理、开关电源转换器及各类电子设备的控制电路等。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统效率，同时确保了良好的热稳定性和可靠性。
