AP6NA3R2MT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为125A，耐压值VDSS达到60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效减少了功率损耗。支持的栅源电压VGS范围为±20V，确保了稳定的操作性能。该元件适用于需要高效率转换和控制的电路中，如电源供应、逆变器及各类电子设备中的信号处理与控制环节。
