AP6N036H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大漏极电流ID和60V的漏源电压VDSS，确保了在高电压环境下的稳定工作能力。其导通电阻RDON为27mΩ，在20V的栅源电压VGS条件下，能有效减少功率损耗，提高转换效率。该MOSFET适用于多种电子设备中的电源管理和信号处理，如开关电源、电池充电器以及数字逻辑电路设计，能够满足对效率和性能有较高要求的应用需求。
