AD50N06S_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的最大连续漏极电流和60V的漏源极击穿电压，确保了其在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。该元件的导通电阻仅为15mΩ，在大电流工作状态下仍能保持较低的功耗，有助于提高系统的整体效率。其栅极阈值电压为20V，使得控制电路设计更加灵活。适用于需要高效能和低热损耗的电子设备中，如电源转换器、开关电源及各类精密调节电路等。
