SM4305PSKPC-TRG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET场效应管，具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高功率应用中的稳定性和可靠性。该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为9mΩ，在保证性能的同时降低了功耗。其栅源电压（VGS）范围为±20V，提供了宽泛的工作条件，适合于多种电路设计需求。此MOSFET适用于电源管理、电池保护及开关电源等应用场景，是高效能电路的理想选择。
