SM3020PSUC-TRG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）拥有高达50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于需要大电流和高电压承受能力的应用。其导通电阻（RDON）仅为15mΩ，在20V栅源电压（VGS）条件下，可大幅减少热损耗，提高系统的整体效率。适用于复杂的电源管理系统、快速充电解决方案以及精密的信号调节电路，是高性能电子产品设计中的关键组件。
