DMN61D8LQ-7_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.3A的连续漏极电流容量，最大漏源电压为60V，导通电阻高达1000mΩ，并能在20V的栅源电压下稳定工作。这些参数使其非常适合用于需要精确控制和低功耗的应用场合，比如消费电子产品的电源管理、信号切换及小型化设备的电路保护。其小巧的尺寸和优良的性能，为设计者提供了灵活的设计选择，同时保证了电路的可靠性和效率。
