AP4439GM_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为15A，最大漏源电压VDSS达到30V，而导通电阻RDON仅为5.8mΩ，确保了低损耗和高效率。支持的最大栅源电压VGS为20V，使得该器件非常适合用于精密的电源管理和信号调节电路中，例如便携式设备的电源开关、DC-DC转换器以及电池保护电路等。其小巧的封装和良好的散热性能，为设计者提供了灵活的布局选项和可靠的运行保障。
