ME20P06-G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:70mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）设计精良，具有强大的电气性能。它支持的最大漏极电流ID高达15A，最高漏源电压VDSS为60V，而导通电阻RDON仅为70mΩ，这使得它成为高效率开关应用的理想选择。该MOSFET支持的最高栅源电压VGS为20V，确保了在复杂电路环境中的稳定运行。适用于电源转换、信号处理等需要高性能开关元件的应用场景，能够提供卓越的能效与稳定性。
