ME85P03_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流容量，最大漏源电压达30V，导通电阻低至6.5mΩ，支持20V的栅源电压。它适用于要求高效能与低热损耗的应用场景，如开关电源、电池管理及负载切换等电路设计。其出色的电气特性保证了在高电流密度下的稳定工作，而小巧的封装则提供了灵活的设计选择，适合多种应用需求。
