SM4805DSKC-TRG_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET场效应管具有出色的电气特性，其最大漏极电流ID可达8.5A，击穿电压VDSS高达30V，导通电阻RDON仅为15mΩ，在VGS为20V时能够保持稳定工作。此款器件适用于各种需要高效能开关或信号放大的应用场景，如电源管理、消费电子产品中的快速切换和低损耗传导等。其紧凑的设计和高性能指标，使其成为现代电子产品设计中的理想选择。
