AS3407_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET具有4.2A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种需要高效开关操作的电路设计。其导通电阻（RDS(on)）仅为45mΩ，在12V的栅源电压（VGS）作用下，能有效减少能量损耗，提高转换效率。该元件适用于电源转换、电池管理和信号调节等应用场合，作为开关或放大元件，确保了电路的高效与稳定运行。
