AP6679GH-HF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET拥有80安培的最大连续漏极电流与30伏特的最大漏源极断态电压。其导通电阻低至6.5毫欧，确保了在20伏特栅源极电压下的高效性能。适用于各种需要精确电流控制和高效能源转换的电路中，例如电源供应、电池管理和信号调节等。其卓越的电气性能和可靠性，使得在设计复杂电子系统时能够实现更优的能效比和稳定性。
