SM1A23NSUC-TRG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流ID和100V的最大漏源电压VDSS，导通电阻RDON为80mΩ，工作于VGS=20V时表现优异。适用于多种电子设备中的信号放大与开关控制，如家用电器、消费电子产品内的电源管理单元和信号处理电路。其高效率和可靠性，使得该MOSFET成为实现电路优化的理想选择。
