SIRA84DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大漏极电流ID可达90A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为3.5mΩ，在VGS=20V时性能尤为突出。该器件适用于高效能开关电源、DC-DC转换器及各类精密控制电路中，能够实现快速开关与低损耗，确保系统运行稳定可靠。其紧凑的设计和高性能指标，使之成为众多电子设计中的理想选择。
