SM4364NAKPC-TRG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的额定漏极电流和30V的最大漏源电压，适用于要求高电流承载能力和稳定电压控制的应用场景。其导通电阻低至4.3mΩ，有助于减少工作时的能量损失，提高整体效率。该MOSFET支持的栅源电压范围为±20V，确保了在多种复杂电路条件下的可靠性和稳定性。特别适合于需要精准电流控制和快速响应速度的电子项目，如电源管理、信号放大等场合。
