SM2326NSANC-TRG_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:43mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备优秀的电气特性，其最大漏极电流ID为3A，最高漏源电压VDSS达到20V，导通电阻RDON仅为43mΩ，在12V的栅源电压VGS下工作稳定。这些参数使其成为高效能电路设计的理想选择，特别适用于需要精确控制电流和电压的场景，例如电源转换、电子设备的开关控制以及各种便携式设备中的信号调节等应用。
