ME4970_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），适用于多种低压应用。其导通电阻（RDS(on)）仅为12mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下能够提供高效能表现。该MOSFET适合用于开关电源、电池管理及信号处理等电路中，作为高效的开关或调节元件，确保系统运行稳定可靠。
