ME4946_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款NN沟道场效应管（MOSFET）拥有6.5A的最大连续漏极电流（ID）及60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于需要良好热稳定性和高效率的应用场合。其导通电阻（RDS(on)）为32mΩ，在保证低功耗的同时，也能提供优秀的开关性能。该MOSFET支持最高20V的栅极驱动电压（VGS），使得它在多种电压环境下都能保持稳定的运行状态。适用于精密电子装置中的电源调节、信号处理等功能。
