SM3323NHQGC-TRG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气性能，最大漏极电流ID高达55A，最高漏源电压VDSS为30V，同时具备非常低的导通电阻RDON，仅4.7mΩ。其栅源电压VGS的最大值为20V，保证了元件在广泛的电压范围内稳定工作。这种MOSFET适用于需要大电流处理能力和高效率的电路设计，如电源适配器、电池管理系统及各类电子设备中的快速开关和精密控制应用。
