SM2306NSAC-TRG_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的最大漏极电流ID和30V的最大漏源电压VDSS，导通电阻RDON为33mΩ，在VGS=12V时性能最佳。它适合应用于各种电子设备中的电源管理和信号切换，例如在便携式设备、智能家居系统以及数据通信装置中作为高效的开关元件。其低导通电阻和良好的热稳定性，有助于提升整体电路的效率和可靠性。
