MEE15N10_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大漏极电流可达20A，最高耐压值为100V。其导通电阻仅为80mΩ，在确保高效能的同时降低了能耗。该器件支持的最大栅源电压为±20V，能够适应多种电路设计需求。适用于电源转换、开关控制等应用场景，是实现精准电流控制的理想选择。
