NVTFS008N04CTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的最大连续漏极电流和40V的漏源极断态电压（VDSS）。其导通电阻仅为6.9毫欧（mΩ），在高电流应用中表现出色，能够有效减少发热，提高效率。支持高达20V的栅源电压（VGS），保证了在各种复杂电路环境下的稳定性和可靠性。适用于电源转换、信号放大及各类电子设备中的开关控制，是实现精准控制与高效能转换的理想选择。
