ME4174_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有18A的最大连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V）。其超低的5毫欧导通电阻（RDON/mR）极大地降低了大电流工作时的功率损耗，提高了转换效率。支持高达20V的栅源电压（VGS/V），使得该MOSFET在电源开关、电池管理系统以及各类电子设备的电路设计中表现出色，能够实现快速响应和稳定的性能。
