ME15N10-G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备20安培的最大连续漏极电流（ID）和100伏特的漏源极断态电压（VDSS），能够承受较高的电压和电流。其导通电阻（RDS(on)）仅为80毫欧，保证了低功耗运行。该MOSFET支持最高20伏特的栅源电压（VGS），适应多种应用场景。它适用于电源管理、信号处理和电子开关等领域，是实现高效能转换和控制的理想选择。
