ME2308S-G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备3A的最大连续漏极电流（ID/A）和60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDON/mR）仅为72毫欧，确保了高效率和低发热。该MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS/V），适用于多种电路设计中，如电源转换、信号切换等场合，能够满足精密控制和高效能转换的需求。
