AP4024GEMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有高达90A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），适合应用于需要高电流承载能力的电路中。其仅3.5mΩ的导通电阻（RDON/mR）显著减少了能量损耗，提升了系统的整体效率。支持±20V的栅源电压（VGS/V），确保了器件在各种条件下的可靠操作。该MOSFET适用于电源管理、信号处理和开关控制等精密电子设备中，是实现高效能设计的关键组件。
