DMN10H100SK3-13_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效能的电子电路中，提供20安培的最大连续漏极电流（ID）和100伏的漏源击穿电压（VDSS），确保了在高压环境下的稳定工作性能。其导通电阻（RDS(on)）为80毫欧，在20伏的栅源电压（VGS）条件下，有助于减少传导损耗并提升效率。该元件适用于各种需要快速开关和低损耗特性的应用场合，例如电源适配器、电池充电管理系统以及便携式电子产品内的电源转换模块，支持实现紧凑且高效的电路设计。
