AP85U03GH-HF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的最大连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，适合应用于需要大电流承载能力的场合。其导通电阻低至3.8mΩ，能够显著降低热损耗，提升整体效率。该器件支持最高20V的栅源电压，确保了优秀的开关速度和稳定性。适用于电源供应、电池管理和各种需要高效开关操作的电子装置中，是实现高性能电路设计的理想选择。
