IPD650P06NM_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:55mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有20安培的最大漏极电流（ID）和60伏的漏源极击穿电压（VDSS），适用于高电压和中等电流的应用场合。其导通电阻（RDS(on)）为55毫欧，保证了较低的功率损耗，有助于提高电路效率并减少热量产生。该元件的栅源开启电压（VGS）设定在20伏，确保了稳定的操作性能。此MOSFET适合用于需要高效开关操作和良好热管理的电子设备中，例如电源管理模块、电池充电控制以及各种便携式电子装置中的负载切换应用。
