IRF630NPBF_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:9A 参数2：电压VDSS:200V 参数3：RDON:220mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管支持9A的连续漏极电流(ID)，拥有200V的漏源电压(VDSS)耐压能力，导通电阻为220mΩ(RDON)，能够在多种电子设备中提供稳定的性能。其栅源电压(VGS)达到20V，适用于需要良好热稳定性和高效率开关操作的应用场合，如电源适配器、LED驱动电路及家用电器控制等领域。
