AOT2502L_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:150V 参数3：RDON:9.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有出色的电气性能，适用于多种电子设备。其最大漏极电流ID为120A，能够支持较大功率的应用；漏源电压VDSS高达150V，确保了在较高电压环境下的可靠工作；导通电阻RDON仅为9.5毫欧姆，有助于降低功耗并提高整体效率；栅源电压VGS支持至20V，提供了广泛的驱动兼容性。此MOSFET适合需要高效开关控制及良好热性能的场合使用，如电源管理、家用电器等领域。
