IPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备50安培的最大漏极电流（ID）和60伏的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电流和高压环境下的稳定性。导通电阻（RDS(on)）仅为15毫欧，有助于减少功率损耗并提高效率。栅源开启电压（VGS）为20伏，使得该元件能够在较宽的电压范围内可靠操作。此MOSFET适用于需要高效能、低热生成和紧凑设计的应用中，例如电源管理、电池充电电路以及各种电子设备中的开关控制。
