IRLR3717PbF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80安培的最大持续漏极电流（ID）和20伏的漏源极击穿电压（VDSS），适用于需要高效电流控制的电路。其导通电阻（RDON）仅为3.5毫欧，有助于降低功耗，提高系统的整体效率。栅源极阈值电压（VGS）为12伏，确保了在多种应用场景下的稳定驱动性能。此器件特别适合用于电源转换、负载开关以及电池管理等电路中，能够实现快速、可靠的开关操作，并支持紧凑设计中的热管理优化。
