SSM3J351R,LF_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:115mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）设计具有3安培的最大持续漏极电流（ID）和60伏的漏源极击穿电压（VDSS），适用于需要稳定高压操作的应用。其导通电阻（RDON）为115毫欧，能够在高电流条件下减少发热，提高效率。栅源极阈值电压（VGS）设定在20伏，提供宽范围的驱动电压兼容性。此器件适用于多种电源管理方案，例如开关模式电源转换、电池管理和负载切换等电路中，能够有效控制电流流动，实现高效能与紧凑设计的完美结合。
