FDD050N03B_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于满足高性能电路的需求，具有连续漏极电流ID为100安培，最大漏源电压VDSS达30伏特，确保了在各种应用中的稳定表现。其导通电阻RDON仅为3.8毫欧，在高电流传输时能有效降低热损耗，提升效率。栅源电压VGS的最大值设定为20伏特，保证了与多种驱动电路的良好兼容性。该元件适用于构建高效开关电源、电信设备以及各类消费电子产品中的复杂电路结构，支持精准的电流控制和快速切换操作。
